IT之家11月4日报道称，SK集团今年的AI峰会将在韩国首尔举行。在昨天的主题演讲中，SK海力士总裁郭鲁政公布了公司的存储路线图：在2026年至2028年的不久的将来，SK海力士将推出16层堆叠HBM4内存，并从HBM4E开始提供定制化HBM解决方案；通用DRAM组件将提供LPDDR5R、LPDDR6用于标准和集成计算功能；至于 NAND 组件，我们将看到 PCIe Gen6 企业级和客户端固态硬盘以及 UFS 6.0 的诞生。 2029年至2031年中期，SK海力士将全面进入HBM5(E)世代；通用DRAM领域的下一代GDDR、DDR6以及晶体管结构发生根本变化的3D DRAM已经面世；至于NAND部分，400+层堆栈NAND、PCIE GEN7 SSD和UFS 6.0都将到来。在SK海力士的愿景中，HBM定制化的一个重大改变就是将协议和其他组件，例如控制器，从XPU芯片到HBM底座，为计算单元释放更多空间，并减少数据接口的能耗。 SK海力士为AI时代的DRAM内存设定了三个主要发展方向：以低功耗、高性能降低TCO的AI-D O、整合算力跨越内存墙的AI-D B、以及拓展应用领域的AI-D E。 特别声明：以上内容（如有则包括照片或视频）由自媒体平台“网易号”用户上传发布。本平台仅提供信息存储服务。 注：以上内容（包括图片和视频，如有）由网易HAO用户上传发布，网易HAO为社交媒体平台，仅提供信息存储服务。